磁性傳感器是接近型傳感器，響應(yīng)于一個(gè)永久磁場(chǎng)，響應(yīng)曲線與磁場(chǎng)方向有關(guān)，作用距離大于電感傳感器. 當(dāng)一個(gè)目標(biāo)接近時(shí)，線圈鐵芯的導(dǎo)磁性變小，線圈的電感量也變小，Q值增加，激勵(lì)震蕩器震蕩，并使震蕩電流增加

原理：利用感應(yīng)開關(guān)感應(yīng)到磁石后閉合后，傳出一信號(hào)。磁傳感器廣泛用于現(xiàn)代工業(yè)和電子產(chǎn)品中以感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)測(cè)量電流、位置、方向等物理參數(shù)。在現(xiàn)有技術(shù)中，有許多不同類型的傳感器用于測(cè)量磁場(chǎng)和其他參數(shù)，

例如采用霍爾（Hall）元件，各向異性磁電阻（Anisotropic Magnetoresistance， AMR）元件或巨磁電阻（Giant Magnetoresistance， GMR）元件為敏感元件的磁傳感器。TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年來(lái)開始工業(yè)應(yīng)用的新型磁電阻效應(yīng)傳感器，其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應(yīng)對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行感應(yīng)，比之前所發(fā)現(xiàn)并實(shí)際應(yīng)用的AMR元件和GMR元件具有更大的電阻變化率。

我們通常也用磁隧道結(jié)（Magnetic Tunnel Junction， MTJ）來(lái)代指TMR元件，MTJ元件相對(duì)于霍爾元件具有更好的溫度穩(wěn)定性，更高的靈敏度，更低的功耗，更好的線性度，不需要額外的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)；相對(duì)于AMR元件具有更好的溫度穩(wěn)定性，更高的靈敏度，更寬的線性范圍，不需要額外的set/reset線圈結(jié)構(gòu)；相對(duì)于GMR元件具有更好的溫度穩(wěn)定性，更高的靈敏度，更低的功耗，更寬的線性范圍。